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磁控溅射镀膜设备

极限真空度:        ≤ 6.6x10-6  Pa

膜厚均匀性:        ≤ ±4%

公转基片台:        6英寸硅片

基片公转速度: 0 ~ 30 rpm/m

加热温度:           室温 ~ 500 

功能用途:

利用磁场与电场交互作用,使电子在靶材表面附近成螺旋状运动轨迹,从而增大电子撞击氩气产生离子的概率。所产生的离子在电场作用下撞向靶面从而溅射出靶材原子,可用于镀纳米级的单层及多层功能膜和复合膜,例如金属、合金、化合物、半导体、陶瓷(需射频电源)、介质复合材料等