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反应离子刻蚀机

参数

气体:  氮气氩气氧气三氟甲烷四氟化碳,   氢气

射频源功率:          300 W, 13.56 MHz

高速涡轮分子泵转速: 48000 rpm

样品最大尺寸:      8英寸

刻蚀速度

:                >600 Å/min

二氧化硅:      >300 Å/min

均一性:        ±5 %  8英寸晶圆

功能用途:
RIE全称是Reactive Ion Etching,反应离子刻蚀,一种干法刻蚀工艺。这种蚀刻的原理是,当在平板电极之间施加高频电压时会产生数百微米厚的离子壳层,在其中放入试样,离子高速撞击试样而完成化学反应蚀刻。可用于Si, SiO2, Poly-Si, Si3N4等材料的高精度刻蚀。