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紫外光刻机


光刻参数:

衬底尺寸:小于100/150/200mm的晶圆,厚度小于10mm

掩膜版尺寸:5 / 7 / 9英寸

对准精度:± 0.5μm

分辨率:真空+硬接触≤ 0.8 μm;硬接触≤ 1.5 μm;软接触≤ 2.0 μm;接近式≥ 3.0 μm

纳米压印参数:

硬印章:1 x 1英寸有效压印区域,图形分辨率≤50 nm,对准精度± 0.1 μm

软印章:150mm有效压印区域,图形分辨率≤50 nm


功能用途:

该光刻机供了良好的基片适应性,可夹持的标准尺寸基片最大直径为150mm。提供各种曝光模式,包括真空,软接触,硬接触,近邻等,并能实现键合对准、纳米压印、微接触印章等多种功能。广泛应用于半导体光刻工艺制程,光波导,光栅,微机电MEMS,二极管芯片,发光二极体(LED)芯片制造,显示面板LCD,光电器件,纳米压印以及电子封装等诸多领域。